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J-GLOBAL ID：200903000863299654

半導体基板の平坦化加工方法及び装置

Inventor： 左光 大和
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996126543
Publication number (International publication number)：1997289183
Application date： Apr. 23, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウエハの平坦化に際して、電圧印加による電流が均一に流れ、表面粗さの良好な加工を可能にする。【解決手段】 チャック6に保持されたシリコンウエハ5の表面をテーブル1に設けられた研磨パッド2上に押し付け、研磨パッド2上にノズル3からアルカリの加工液4を供給し、電源7により電極8a及び8bを介してウエハ5が負電位で研磨パッド2上の加工液4が正電位となるように電圧を印加し、加工液4を介してウエハ5の表面と研磨パッド2とを相対的に摺動させて、ウエハ5の表面を研磨除去して平坦化する。ウエハ5側をマイナスにすることにより、ウエハ5からのシリコンの溶出は起こらず、直接プラス電位とされた加工液4からウエハ5に電流が均一に流れることによる発熱により、加工液4のアルカリに含まれるOH基の反応が生じる。これにより、ウエハ5の表面の研磨除去の作用が緩やかに起こり、ウエハ5の表面の粗さが良くなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面の平坦化加工方法であって、前記基板の表面を研磨パッド上に押し付け、前記基板が負電位で前記研磨パッド上に供給された加工液が正電位となるように前記基板と前記加工液との間に電圧を印加し、前記加工液を介して前記基板の表面と前記研磨パッドとを相対的に摺動させて、前記基板の表面を平坦化することを特徴とする半導体基板の平坦化加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B23H 5/00

FI (3)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 E ,  B23H 5/00 A