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J-GLOBAL ID：200903000863817523
光電素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曽々木 太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992110719
Publication number (International publication number)：1993283723
Application date： Apr. 02, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 最適な光学的バンドギャップを有することにより太陽電池に応用した場合、最適な光電変換効率が得られるシリコン系光電素子を提供する。【構成】 p型のポーラスシリコンからなる活性層1と、n型のアモルファスシリコンまたは微結晶シリコンを含むn型のアモルファスシリコン2とのpn接合からなる。
Claim (excerpt)：
p型のポーラスシリコンからなる活性層と、n型のアモルファスシリコンまたは微結晶シリコンを含むn型のアモルファスシリコンとのpn接合からなることを特徴とする光電素子。
FI (2)：
H01L 31/04 L
, H01L 31/04 N
