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J-GLOBAL ID：200903000864172127

半導体膜のレーザーアニール方法

Inventor： 脇田 賢 ,  尾方 秀謙
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996159949
Publication number (International publication number)：1998012548
Application date： Jun. 20, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 p-SiTFTLCDのp-Siを形成するエキシマレーザーアニール(ELA)において、再結晶化されたp-Siの結晶性を向上する。【解決手段】 高エネルギーによる1回目のELAにより、グレインサイズを大きくし、低エネルギーによる2回目のELAにより、グレインサイズの均一化を図る。1回目のELAでは、エネルギー超過領域において結晶化不良領域が生じるが、2回目のELAでは、最適にエネルギーを下げることで、エネルギーの超過を無くし、結晶化不良領域が消失し、p-Si膜の結晶性が向上する。

Claim (excerpt)：

基板上の半導体膜にレーザーアニールを施して膜質を改良する半導体膜のレーザーアニール方法において、前記レーザーアニールは複数回行われ、より先のアニールは比較的レーザーエネルギーが高く、より後のアニールは比較的レーザーエネルギーが低いことを特徴とする半導体膜のレーザーアニール方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-102311
  
• 特開昭64-025515
  
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-248642   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 多結晶半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-185661   Applicant：三洋電機株式会社