Pat

J-GLOBAL ID：200903000872240824

成膜方法及び装置

Inventor： 水野 謙和 ,  前田 喜世彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 油井 透 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999197572
Publication number (International publication number)：2001023904
Application date： Jul. 12, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Si3N4成膜時に反応副生成物であるNH4Clの発生をなくすようにする。【解決手段】 反応管1内でウェハ4上にSi3N4膜を形成するのに、熱CVD法による成膜装置を用いる。成膜前にガス導入管9bから窒素原料となるNH3ガスを反応管1内に流す。成膜時、連続してNH3を流すとともに、同時にガス導入管9aからSi原料となるClを含まないヘキサメチルジシラザン(Si2NH19C6)ガスを流す。これによりSi3N4膜をウェハ4上に成膜する。成膜後は、ヘキサメチルジシラザンガスを流すのを止めるが、NH3ガスはしばらく流し続ける。

Claim (excerpt)：

ヘキサメチルジシラザンを用いて熱CVD法によりSiN膜を基板上に形成する成膜方法。

F-Term (16)：

5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC17 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045DP19 ,  5F045EB02 ,  5F045EC02 ,  5F045EE03 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05