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J-GLOBAL ID：200903000874394136

蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容器

Inventor： 須田 順子 ,  佐藤 義孝 ,  片岡 文昭
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 西村 教光 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999003025
Publication number (International publication number)：2000204366
Application date： Jan. 08, 1999
Publication date： Jul. 25, 2000
Summary：

【要約】【目的】結晶性のよい蛍光体を合成できる蛍光体製造用容器を提供する。【構成】硫化ガリウムにZnOを混合した原料物質3を、アルモファスカーボンからなる多孔性のボート4に載せ、管状炉1の内部に配置する。ヒータ2で加熱し、アンモニア雰囲気中で1000°Cで3時間反応させた。得られた粉末状のGaN:Zn蛍光体は、SEM写真によれば、従来のアルミナボートを用いて製造したGaN蛍光体に比べ、角の部分が明瞭化した結晶形状の良い粒子であった。従来は原料物質のボートとの接触面がガスに触れないため発光が弱かったが、本発明のボートは多孔性でガスが通過しやすく、この部分も効率よく還元・窒化され、結晶粒子の径が大きくかつ一様に揃った状態の蛍光体が得られた。蛍光発光管の発光部に実装し、アノード電圧400V、duty=1/240で駆動したところ、色純度の良い青色の発光が得られた。

Claim (excerpt)：

蛍光体の原料物質をガス雰囲気内において加熱する炉と、前記ガスが通過しうる通気性を有するとともに、前記炉の熱を前記原料物質に伝導する熱伝導性を備え、前記原料物質を収納して前記炉の内部に配置される蛍光体製造用容器と、を有する蛍光体の製造装置。

IPC (2)：

C09K 11/08 ,  C09K 11/62

FI (3)：

C09K 11/08 A ,  C09K 11/08 C ,  C09K 11/62

F-Term (3)：

4H001XA31 ,  4H001YA12 ,  4H001YA30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 化合物半導体単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-244165   Applicant：株式会社ジャパンエナジー
• 特開平2-131791
  
• 特開平3-275180