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J-GLOBAL ID：200903000883133248

半導体プロセスガスの供給システム

Inventor： 重田 賢二 ,  羽坂 智
Applicant, Patent owner： 日本酸素株式会社
Agent (1)： 木戸 一彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999116448
Publication number (International publication number)：2000306839
Application date： Apr. 23, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高圧領域を低減して漏洩危険機会の低減を図り、安全性を向上させるとともに、コンパクトでガス供給系のパージ性能も大幅に向上した半導体プロセスガスの供給システムを提供する【解決手段】 容器取付側の閉止弁33と、ガス圧力を1MPa以下に減圧する減圧弁37,39と、閉止弁33の二次側にパージガスを導入するパージガス導入路34とをブロック化した減圧機能付き容器弁12を設けた容器ユニット10と、半導体プロセスガス使用先配管接続側の供給弁22と、供給弁一次側のガス供給系内のガスを排気する排気路とを備えた供給ユニット20とを接続部15で着脱可能にする。

Claim (excerpt)：

ガス容器内に充填されている半導体プロセスガスを減圧して使用先に供給するためのシステムであって、ガス容器及び該ガス容器に装着される減圧機能付き容器弁を備えた容器ユニットと、該容器ユニットのガス出口部に着脱可能に設けられる供給ユニットとを有し、前記減圧機能付き容器弁は、容器取付側の閉止弁と、該閉止弁の下流側に設けられてガス圧力を1MPa以下に減圧する減圧弁と、前記閉止弁の二次側にパージガスを導入するパージガス導入路とをブロック化するとともに、供給ユニット接続側に出口弁を付設したものであり、前記供給ユニットは、半導体プロセスガス使用先配管接続側の供給弁と、容器ユニット接続側から該供給弁に至る間の半導体プロセスガス供給路内のガスを排気するための排気路とを備えたものであることを特徴とする半導体プロセスガスの供給システム。

F-Term (9)：

5F045AC01 ,  5F045BB14 ,  5F045BB20 ,  5F045EC08 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EG02 ,  5F045EG03