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J-GLOBAL ID：200903000884422057
プラズマ処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992239689
Publication number (International publication number)：1994089877
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】【構成】半導体装置製造に用いるマイクロ波を利用したプラズマ処理装置において、マイクロ波を導入する部分となる反応室石英1が、回転することを特徴とするプラズマ処理装置。【効果】反応室石英が精度良く均一な厚さで無い場合においても、反応室石英1が回転することにより、マイクロ波発振器8で発生したマイクロ波が、反応室石英1に導入される時点で、マイクロ波の透過率が平均化され、反応室内部のプラズマ等の密度の偏りが減少する。また反応室1の温度分布が一様となる。これらにより反応室1の内部での反応にムラが生じにくくなり、被エッチング材料を均一にエッチングできるプラズマ処理装置を提供できる。
Claim (excerpt)：
マイクロ波を利用するプラズマ処理装置の反応室において、マイクロ波を導入する部分となる石英が、回転することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
