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J-GLOBAL ID：200903000898557990
絶縁ゲート型炭化ケイ素サイリスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997061506
Publication number (International publication number)：1998256529
Application date： Mar. 14, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】炭化ケイ素を用いて、従来のパワーデバイスよりも高耐圧、大電流の絶縁ゲート型炭化ケイ素サイリスタを提供すること。【解決手段】第1ベース領域3の一方の表面層に第2ベース領域4と、この第2ベース領域4と離して第3ベース領域6とを形成し、第2ベース領域4の表面層にソース領域7を選択的に形成し、第3ベース領域6の表面層にエミッタ領域8を形成し、ゲート絶縁膜9を介してゲート電極10を形成し、ソース領域7上の一部とゲート電極10上およびエミッタ領域8上に層間絶縁膜13を形成し、ソース領域7の露出部上と第2ベース領域4の露出部上とにカソード電極11を形成する。エミッタ領域8は層間絶縁膜13で被覆されているのでカソード電極11と電気的に絶縁され、電位的には浮遊状態となっている。
Claim (excerpt)：
炭化ケイ素からなる絶縁ゲート型サイリスタで、高抵抗の第1導電形の第1ベース領域と、該第1ベース領域の一方の表面層に選択的に離間して形成された第2導電形の第2ベース領域および第3ベース領域と、前記第2ベース領域の表面層に選択的に形成された第1導電形のソース領域と、前記第3ベース領域の表面層に選択的に形成された第1導電形のエミッタ領域と、前記ソース領域と前記エミッタ領域とに挟まれた第2ベース領域上、前記第1ベース領域上および前記第3ベース領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ソース領域上と前記第2ベース領域上とに形成されたカソード電極と、前記第1ベース領域の他方の表面層に形成された第2導電形のアノード領域と、該アノード領域上に形成されたアノード電極とを有する絶縁ゲート型サイリスタにおいて、前記エミッタ領域の表面全面と前記第3ベース領域の露出部とが絶縁膜で被覆されることを特徴とする絶縁ゲート型炭化ケイ素サイリスタ。
IPC (2)：
FI (5)：
H01L 29/74 G
, H01L 29/74 D
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 656 A
