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J-GLOBAL ID：200903000899152552

半導体製造装置

Inventor： 中川 幸一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991188647
Publication number (International publication number)：1993036606
Application date： Jul. 29, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、複数のウエハ上に同時に膜形成等を行う半導体製造装置に関し、省スペースを図り、かつ反応管等の交換作業等による待機時間を短縮して稼働率の向上を図ることができる半導体製造装置を提供することを目的とする。【構成】内部でウエハの処理が可能な両端部の開放された反応管20と、長手方向を立てて前記反応管20の両端部を保持し、かつ前記反応管20を着脱できる装着部21a,21bを有する処理部14〜19と、前記反応管20を前記処理部14〜19に搬送し、着脱する搬送手段12と、前記反応管20内に挿入可能なウエハ保持具13とを含み構成する。

Claim (excerpt)：

内部でウエハの処理が可能な両端部の開放された反応管と、長手方向を立てて前記反応管の両端部を保持し、かつ前記反応管を着脱できる装着部を有する処理部と、前記反応管を前記処理部に搬送し、着脱する搬送手段と、前記反応管内に挿入可能なウエハ保持具とを有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/68