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J-GLOBAL ID：200903000907974311

電極構造およびその製造方法

Inventor： 寺口 信明 ,  奥村 敏之
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333765
Publication number (International publication number)：1995193216
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 優れたオーミック接触が得られ、しかも発光素子の一部として形成しても発光素子に悪影響を及ぼすことがない、p型ZnxMgyCd1-x-ySzSe1-z(0≦x、y、z≦1,x+y≦1)半導体を用いた電極構造及びその製造方法を提供する。【構成】 p型ZnxMgyCd1-x-ySzSe1-z(0≦x、y、z≦1,x+y≦1)半導体1上に金属Cdを堆積して熱処理を行う。この熱処理によりオーミック接触層2が形成される。このようにして、従来困難であったp型ZnxMgyCd1-x-ySzSe1-z(0≦x、y、z≦1,x+y≦1)半導体に対する良好なオーミック接触が容易に、かつ、発光素子に悪影響を及ぼすことなく実現できる。

Claim (excerpt)：

p型ZnxMgyCd1-x-ySzSe1-Z(0≦x、y、z≦1,x+y≦1)半導体層と電極金属層との間に、CdまたはHgのいずれかを含む合金層を有するオーミック接触層が形成されている電極構造。

IPC (2)：

H01L 29/43 ,  H01L 33/00