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J-GLOBAL ID：200903000912652071

電子構造体およびその製造方法

Inventor： ベス・エー・バウマート ,  リ-シン・チャン ,  テセ-ラン・サイ
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998292986
Publication number (International publication number)：1999238412
Application date： Sep. 30, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高比誘電率および電流密度のリークが低い電子構造体の製造に使用され得る誘電体材料を提供すること。電子構造体の通常の動作の間において、常誘電状態から強誘電状態へ、その誘電体物質が変化させない程度であって、電子構造体の動作温度より低いキュリー温度を有する誘電体材料を提供する。【解決手段】 誘電体材料(43、61、63、71)がBa(Ti(1-X)SnX)O3を使用して形成される。誘電体材料(43、61、63、71)は、金属有機分解またはゾルゲル法、またはスパッタリングターゲット(12)から材料をスパッタリングすることにより、形成される。

Claim (excerpt)：

誘電体材料の層(43、61、63、71)を有する電子構造体(40、50、60、70)であって、前記誘電体材料の層(43、61、63、71)は、スズ(Sn)から構成される、ことを特徴とする電子構造体。

IPC (11)：

H01B 3/12 303 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/12 358 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7)：

H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  C04B 35/46 D ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371