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J-GLOBAL ID：200903000915443856

半導体発光素子

Inventor： 湯浅 貴之 ,  猪口 和彦
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997288090
Publication number (International publication number)：1999121806
Application date： Oct. 21, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 発光素子において白色光を得る方法として、発光層を積層した構造があるが、この場合、電極を多数この接続する必要が有り、発光の制御が繁雑であった。【解決手段】 一対の電極の間に、直列にそれぞれ波長の異なる光を発する発光層を3層有している。101は結晶成長を行うための基板であり、103、105、106はそれぞれ発光波長の異なる発光層、102、107は電流を注入するための電流注入層、104は発光層をそれぞれ隔離するためのバリア層、108、109はオーミック電極である。

Claim (excerpt)：

一対の電極の間に構成されている半導体発光素子において、p型層およびn型層双方の近傍に異なる波長の発光層を2層以上有することを特徴とする半導体発光素子。