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J-GLOBAL ID：200903000921527018

半導体装置の製造方法

Inventor： 大畑 有 ,  倉本 毅 ,  新保 優
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994073068
Publication number (International publication number)：1995074239
Application date： Aug. 31, 1984
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】素子間の絶縁体分離を確実に行ない、かつ、素子間分離に必要な領域を小さくして集積度を向上させると共に、素子の大電力化を達成した半導体装置を容易に得ることができる、半導体装置の製造方法を提供すること【構成】鏡面研磨された主面および該主面の所定領域に埋め込まれた絶縁膜を有する第一のシリコン基板と、鏡面研磨された主面を有する第二のシリコン基板とを、夫々の鏡面研磨された主面を相互に対向させて配置し、清浄な雰囲気下で両者を密着させることにより内部に絶縁膜を有する接合体を形成する。続いて、該接合体に加熱処理を施して接合強度を向上させる。次に、該接合体を構成する前記第一または第二のシリコン基板の表面から、該接合体内部の前記絶縁膜に達する素子分離領域を形成することにより、前記絶縁膜で囲まれた第一素子領域と、該素子分離領域の外の第二素子領域とを形成する。これら二つの相互に絶縁された素子領域内に、夫々必要な素子を形成する。

Claim (excerpt)：

鏡面研磨された主面を有する第一および第二のシリコン基板であって、その少なくとも何れか一方は、前記主面の所定の表面領域に埋め込まれた絶縁膜を有し、該絶縁膜の表面は前記主面と同一平面をなし且つ鏡面研磨されているシリコン基板を準備する第一工程と、前記第一および第二のシリコン基板の鏡面研磨された主面を相互に対向させ、清浄な雰囲気下で両者を密着させることにより、内部に絶縁膜を有する接合体を形成する第二工程と、該接合体に加熱処理を施して接合強度を向上させる第三工程と、該接合体を構成する前記第一または第二のシリコン基板の表面から、該接合体内部の前記絶縁膜に達する素子分離領域を形成することにより、該素子分離領域および前記絶縁膜で囲まれた第一素子領域と、該素子分離領域の外の第二素子領域とを形成する第四工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。