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J-GLOBAL ID：200903000922425278
MIS型半導体装置とその形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996022311
Publication number (International publication number)：1997219522
Application date： Feb. 08, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：
【要約】【課題】微細化されたMIS型半導体装置においてもドレイン出力抵抗が大きく、駆動電流も大きいMIS型半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル領域のソース領域4a側には所望のしきい値となる濃度のチャネル領域5を設け、ドレイン領域4b側には低濃度のチャネル領域6を設ける。
Claim (excerpt)：
絶縁膜上の半導体層上に形成した第1導電形のチャネル領域と第2導電形のソース領域および第2導電形のドレイン領域と前記チャネル領域上に形成したゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とからなるMIS型半導体装置において、前記第1導電形のチャネル領域のドレイン側の不純物濃度をソース側よりも低濃度にすることを特徴とするをMIS型半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 301 X
