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J-GLOBAL ID：200903000925932960

半導体装置

Inventor： 長南 徹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996175620
Publication number (International publication number)：1998003784
Application date： Jun. 14, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】同期回路を搭載した同期式メモリにおいて、低クロック周波数動作時の消費電力を減らし、広い動作周波数帯域をもつようにする。【解決手段】同期回路108の使用・不使用、あるいは複数の同期回路の使用・不使用の切り換え手段を備え、この切り換えをモードレジスタセットサイクルに決定されたモード信号φにより行なう。

Claim (excerpt)：

同期回路を具備してなる半導体装置において、同期回路の使用及び不使用を切り換える手段を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

G11C 11/401 ,  G11C 11/407

FI (2)：

G11C 11/34 362 C ,  G11C 11/34 354 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 同期型半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-320699   Applicant：三菱電機株式会社
• ダイナミック型RAM
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-337975   Applicant：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社