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J-GLOBAL ID：200903000933291710

半導体ウェハの処理中にクリーニングするためのクリーニング用電極を備えるRFプラズマ反応装置

Inventor： ヤン イー ,  ヒロジ ハナワ ,  ダイアナ シャオビン マ ,  ジェラルド ゼヤオ イン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996324326
Publication number (International publication number)：1997181057
Application date： Dec. 04, 1996
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ウェハ処理中にチャンバ内面のクリーニングを行うための手段を提供すること。【解決手段】 本発明は、半導体ウェハ処理用のプラズマ反応装置で実行される。反応装置は、処理用ガスを内包するチャンバ10と、このチャンバ内でプラズマを生成すべくRF電源50に接続された導電体45とを有する。チャンバは、プラズマ内の粒子により汚染される面25を有する。本発明は、付着汚染物を前記面から除去すべく、ウェハ処理中に、プラズマから前記面上に粒子を衝撃させることにより実施される。この衝撃の生成は、RF電源を設け、ウェハの処理中にこの電源から前記面にRF電力を結合させることにより実行される。前記結合は、前記面に隣接しRF電源に接続された容量性クリーニング用電極80により行われる。

Claim (excerpt)：

プラズマ反応装置が、処理用ガスを内包するチャンバと、半導体ウェハを処理するためのプラズマを前記処理用ガスから生成すべく前記チャンバ内にRF電力を結合させるためにRF電源に接続された導電体とを有しており、前記チャンバが、前記プラズマに対して露出され前記ウェハの処理中に生成される粒子による汚染を受ける少なくとも一つの面を含んでいるものである場合における、前記プラズマ反応装置内の半導体ウェハを処理する方法であって、前記一つの面の近傍に容量性クリーニング用電極を設けることと、前記ウェハの処理中に前記容量性クリーニング用電極にRF電力を印加することと、を備える方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 A ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/304 341 Z ,  H05H 1/46 A