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J-GLOBAL ID：200903000939994535

ドライエッチング方法

Inventor： 辰巳 哲也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992031270
Publication number (International publication number)：1993198536
Application date： Jan. 23, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 CFC(クロロフルオロカーボン)ガスを用いないGaAs/AlGaAs系の選択エッチングにおいて、ガス組成等の放電条件を変更せずにオーバーエッチング時のラジカル量を減少させ、下地選択性と異方性を改善する。【構成】 有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置の処理チャンバ4の内壁面にAlカバー13を設け、このAlカバー13とECRプラズマPとの接触面積を昇降式シャッタ14(または回転式シャッタ15)の操作により調節する。S2 F2 /S2 Cl2 混合ガスを用い、ジャストエッチング時はこの接触面積を小、オーバーエッチング時には大とすれば、後者においてハロゲン・ラジカルのうち主にCl* がAlClx の形で除去され、Sの堆積とAlFx の生成が促進される。上記接触面積は、磁場配位の制御によっても変化させることができる。

Claim (excerpt)：

Al含有化合物半導体層の上に積層された非Al含有化合物半導体層を選択的にエッチングするドライエッチング方法において、処理チャンバの内壁面の少なくとも一部がAl系材料層により被覆されてなり、かつ該Al系材料層とプラズマとの接触面積を可変となし得るシャッタ部材を備えたプラスマ装置を使用し、このプラズマ装置に少なくともフッ素系化合物を含むエッチング・ガスを導入し、前記シャッタ部材の操作によりプラズマと前記Al系材料層との接触面積を変化させながらエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H05H 1/46