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J-GLOBAL ID：200903000941568985

ガラス組成物、これを含む誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板

Inventor： チュー、ホ ソン ,  リー、ジョン ミョン ,  パク、ウン テ ,  チャン、ミュン フン ,  リョー、ソー ヒョン ,  チョ、ボム ジュン
Applicant, Patent owner： サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド.
Agent (4)： 龍華 明裕 ,  飯山 和俊 ,  明石 英也 ,  東山 忠義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008292668
Publication number (International publication number)：2009120477
Application date： Nov. 14, 2008
Publication date： Jun. 04, 2009
Summary：

【課題】高誘電率を示しながら低温焼結が可能なガラス組成物、これを含む誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板が提案される。【解決手段】提案されたガラス組成物は、組成式aBi2O3-bB2O3-cSiO2-dBaO-eTiO2を有し、式中、a、b、c、d、及びeはa+b+c+d+e=100、40≦a≦89、10≦b≦50、1≦c≦20、0≦d≦10、0≦e≦10である。【選択図】図1

Claim 1：

組成式aBi2O3-bB2O3-cSiO2-dBaO-eTiO2を有し、式中、a、b、c、d、及びeはa+b+c+d+e=100、40≦a≦89、10≦b≦50、1≦c≦20、0≦d≦10、0≦e≦10であることを特徴とするガラス組成物。

IPC (5)：

C03C 8/20 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/12 ,  H05K 3/46 ,  H01G 4/30

FI (6)：

C03C8/20 ,  C04B35/46 D ,  H01G4/12 358 ,  H05K3/46 H ,  H05K3/46 Q ,  H01G4/30 301E

F-Term (104)：

4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA28 ,  4G031AA30 ,  4G031AA35 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  4G031GA03 ,  4G062AA08 ,  4G062AA09 ,  4G062BB01 ,  4G062BB08 ,  4G062CC04 ,  4G062DA03 ,  4G062DA04 ,  4G062DB01 ,  4G062DC04 ,  4G062DC05 ,  4G062DD01 ,  4G062DE01 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EB01 ,  4G062EC01 ,  4G062ED01 ,  4G062EE01 ,  4G062EF01 ,  4G062EG01 ,  4G062EG02 ,  4G062EG03 ,  4G062FA01 ,  4G062FB01 ,  4G062FB02 ,  4G062FB03 ,  4G062FC01 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA05 ,  4G062GA06 ,  4G062GA07 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM05 ,  4G062MM27 ,  4G062NN32 ,  4G062PP09 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E082AB03 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082PP01 ,  5E082PP03 ,  5E082PP06 ,  5E082PP09 ,  5E346AA13 ,  5E346AA33 ,  5E346AA43 ,  5E346AA60 ,  5E346CC16 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC39 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18 ,  5E346GG04 ,  5E346GG09 ,  5E346GG15 ,  5E346GG19 ,  5E346GG28 ,  5E346HH01 ,  5E346HH32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電子放出源形成用組成物、該組成物を用いて形成した電子源、及び該電子源を用いた電界放射型ディスプレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-087979   Applicant：株式会社日立ディスプレイズ, 日立粉末冶金株式会社
• 有機エレクトロルミネッセンス素子保護用ガラス組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-250188   Applicant：セントラル硝子株式会社
• プラズマディスプレイパネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-218051   Applicant：松下電器産業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 組成パラメータによるケイ酸塩系ガラスの熱膨張係数算出