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J-GLOBAL ID：200903000950931014

メモリ内の記憶場所の集合にアクセスする方法

Inventor： ウィルソン ウィリアム ブレント
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995192701
Publication number (International publication number)：1997044396
Application date： Jul. 28, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】SDRAM内の隣接した記憶場所をアクセスするときに不必要なクロックサイクルが発生していたという課題。【解決手段】読取り(書込み)コマンド間に偶数のクロックがあるようにメモリアクセスを再配列することでSDRAM「2n規則」のオーバーヘッドを除去する。奇数のアクセスを有するアクセスバーストが必要な場合は、偶数アクセスを有する全てのバーストを最初に行うことができるように奇数のデータを有するバーストを最後に行う(ステップ2)。それにより同一数のデータワードを少ないクロックサイクルで転送でき(ステップ3)、メモリデータバスの効率を増大する。またそれによりディジタルビデオ処理システムのようなSDRAMを使用したシステムで低速で低価格のSDRAMを使用でき、そのようなシステムのコストを削減できる。

Claim (excerpt)：

メモリ内の記憶場所(location)の集合にアクセスする方法において、前記記憶場所集合内の前記記憶場所を1つまたはそれ以上の記憶場所グループにグループ化するステップと、前記記憶場所グループを所定の規則によりシーケンスに配列するステップと、前記シーケンス内の前記記憶場所グループにアクセスするステップと、を備えたことを特徴とするメモリ内の記憶場所の集合にアクセスする方法。