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J-GLOBAL ID：200903000973603260
半導体ウエハーのプラズマ処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大井 正彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992081392
Publication number (International publication number)：1993251391
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 上下に積重状態で保持された半導体ウエハーに対し、プラズマを発生させたプロセスガスを上下方向において均等に流過させ、各半導体ウエハーに均一なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 複数の半導体ウエハーWが上下に離間して重なるよう保持される処理空間Sを区画する処理容器10、処理容器と一体的なプラズマ発生容器25、処理容器とプラズマ発生容器間の隔壁22にウエハー保持領域の上下全域に対向する均等なラジカル導入口23、ラジカル導入口と対向する均等なガス排出口42、プラズマ発生容器内に設けた、均等なガス供給口31を有するプロセスガス供給機構および平行平板型のプラズマ発生用電極33を有してなる。
Claim (excerpt)：
複数の半導体ウエハーが、各々水平方向に沿った状態で互いに上下方向に離間して重なるよう保持されるウエハー保持領域を含む処理空間を区画する処理容器と、この処理容器に、前記処理空間と隔壁を介して一体的に設けられたプラズマ発生空間を区画するプラズマ発生容器と、前記隔壁において、前記ウエハー保持領域の上下方向の全域に対向する領域に上下方向に均等に形成されたラジカル導入口と、前記ウエハー保持領域を介してこのラジカル導入口と対向する位置に設けられた、前記ウエハー保持領域の上下方向の全域に対向する領域に上下方向に均等に形成されたガス排出口を有するガス排出機構と、前記プラズマ発生容器内において、前記ラジカル導入口が位置された領域の全域と対向するよう設けられた、上下方向に均等に形成されたプロセスガス供給口を有するプロセスガス供給機構と、このプロセスガス供給機構と前記隔壁との間で前記プラズマ発生容器の外側に設けられた、平行平板型のプラズマ発生用電極とを有してなることを特徴とする半導体ウエハーのプラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 21/205
