半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996168085
Publication number (International publication number)：1998022379
Application date： Jun. 28, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】コンタクトホール等にタングステンプラグを埋め込み、このタングステンプラグと接続するアルミニウム配線層を形成する半導体装置の製造方法に関し、タングステンプラグと接触するアルミニウム配線層に異常成長が生じないようにする。【解決手段】コンタクトホール又はビアホール13内に埋め込んだタングステン膜15と接触するアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする配線層16を形成する前にタングステン膜15をアルカリ溶液に曝し、又は不活性ガス或いは酸素ガスのプラズマに曝すことを特徴とする。

Claim 1：

基板上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記開口部内に選択的にタングステン膜を埋め込む工程と、前記開口部内に埋め込まれたタングステン膜を不活性ガス或いは酸素ガスのプラズマ又はアルカリ溶液に曝した後で、前記開口部と前記絶縁膜を含む基板上にアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/285 301 , H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/90 C , H01L 21/285 301 R , H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-288031 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-189248 Applicant：川崎製鉄株式会社
多層配線構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-028249 Applicant：川崎製鉄株式会社

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