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J-GLOBAL ID:200903000982597604
半導体チップ及び半導体装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
堀口 浩
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008072114
Publication number (International publication number):2009231371
Application date: Mar. 19, 2008
Publication date: Oct. 08, 2009
Summary:
【課題】小型化が可能な半導体チップ及び半導体装置を提供する。【解決手段】上面、底面、及びこれらの面を接続する側面13を有する半導体基板11と、上面にあり、半導体基板11に形成された半導体素子と接続された上部配線15と、底面にあり、側面13で囲まれた内側に側面13から離間して配置された複数の接続端子26と、半導体基板11を貫通する貫通孔21を通り、上部配線15と接続端子26とを電気接続する貫通配線25と、接続端子26間の底面にあり、接続端子26とは凹部31を隔てて配置された絶縁性の分離膜27とを備えている。【選択図】図1
Claim 1:
上面、前記上面に対向する底面、及び前記上面と前記底面とを接続する側面を有する半導体基板と、
前記上面にあり、前記半導体基板に形成された半導体素子と接続された上部配線と、
前記底面にあり、前記側面から離間して配置された複数の接続端子と、
前記半導体基板を貫通する貫通孔を通り、前記上部配線と前記接続端子とを電気接続する貫通配線と、
前記底面にあり、前記接続端子と離間配置されて、前記接続端子との間に凹部を形成する絶縁性の分離膜と、
を備えていることを特徴とする半導体チップ。
IPC (5):
H01L 23/12
, H01L 21/320
, H01L 23/52
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (3):
H01L23/12 L
, H01L21/88 J
, H01L23/30 R
F-Term (32):
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109DB17
, 5F033GG02
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH13
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033JJ11
, 5F033JJ18
, 5F033MM30
, 5F033NN05
, 5F033NN30
, 5F033PP14
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ09
, 5F033QQ13
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR09
, 5F033RR13
, 5F033RR14
, 5F033RR15
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR24
, 5F033VV07
, 5F033XX22
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
半導体装置とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-327967
Applicant:三洋電機株式会社
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