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J-GLOBAL ID：200903000983663600
MOS駆動型半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992288694
Publication number (International publication number)：1994140633
Application date： Oct. 27, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：
【要約】【目的】チップ上における有効面積を増やし、理論値に近い電圧阻止能力を有するMOS駆動型半導体装置を提供する。【構成】MOS型半導体素子が形成されるチップの終端部(縁部)には、一つの拡散層28が形成されている。この拡散層28は、チップの終端部おいて当該チップを取り囲むようにして形成されている。また、拡散層28は、カソ-ド電極25に接続されており、P型ベ-ス層22と同電位となっている。さらに、チップの終端面は、斜めに切り落とされ、かつ、シリコ-ン樹脂29等で保護されている。
Claim (excerpt)：
第1導電型の第1の層と、前記第1の層上に形成される第2導電型の第2の層と、前記第2の層の表面領域に形成される第1導電型の複数の第3の層と、前記第3の層の表面領域に形成される第2導電型の第4の層と、前記第1の層に接続される第1の電極と、前記第4の層、或いは前記第3及び第4の層に接続される第2の電極と、前記第3の層に跨がるように絶縁膜を介して形成される第3の電極と、前記第2の層の終端部の表面領域に一つのみ形成され、前記第2の電極に接続されることにより前記第3の層の電位と同電位に保たれる第1導電型の第5の層とを具備することを特徴とするMOS駆動型半導体装置。
Patent cited by the Patent：
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