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J-GLOBAL ID：200903000991872600

半導体発光素子

Inventor： 尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 小栗 昌平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001099780
Publication number (International publication number)：2001313441
Application date： Feb. 12, 1999
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【目的】 ダブルヘテロ接合構造の半導体発光素子であって、発光効率が高く、かつ動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。【構成】 n型クラッド層4と活性層5とp型クラッド層6のサンドイッチ構造を少なくとも有し、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記n型クラッド層のバンドギャップエネルギーが前記p型クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さくなるように前記両クラッド層の材料が選定されてなる。

Claim (excerpt)：

チッ化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層と活性層とp型クラッド層のサンドイッチ構造を少なくとも有し、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記n型クラッド層のバンドギャップエネルギーと前記活性層のバンドギャップエネルギーとの差が、前記p型クラッド層のバンドギャップエネルギーと前記活性層のバンドギャップエネルギーとの差の1/3〜1/2程度になるように、前記n型クラッド層がn型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x≦0.5)からなり、前記活性層がIn<SB>y</SB>Ga<SB>1</SB><SB></SB><SB>-y</SB>N(0≦y≦1)からなり、前記p型クラッド層がp型Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>N(0<z≦1)からなり、発光ダイオードを構成するように、前記両クラッド層の材料が選定されてなる半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/22

FI (3)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/22