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J-GLOBAL ID：200903000996374101

スパッタリング方法及び装置

Inventor： マイケル トゥワイテス
Applicant, Patent owner： ザ ビーオーシー グループ ピーエルシー
Agent (1)： 中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272094
Publication number (International publication number)：1993214522
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： Aug. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、ターゲット層の形成に伴う問題を防止又は最小限に留めることができるように、これらのガスの導入を制御することにある。【構成】 本発明のスパッタリング装置は、スパッタリングされる材料が表面上に設けられた実質的に円筒状のターゲットチューブと、ターゲットチューブをその長手方向軸線の回りで回転させる手段と、ターゲットチューブに関連するスパッタリング領域内に磁界を設けることによりスパッタリング工程を補助する磁石手段と、基板をチャンバを通してスパッタリング領域内に移動させる手段と、スパッタリング領域の近くで、イオン化可能ガス及び反応性ガスをチャンバ内に導入する手段とを有しており、スパッタリング領域から離れた位置に補助磁界を形成する補助磁石手段と、補助磁界の近くにイオン化可能ガスを導入する手段とが設けられている。

Claim (excerpt)：

スパッタリングされる材料が表面上に設けられた実質的に円筒状のターゲットチューブと、ターゲットチューブをその長手方向軸線の回りで回転させる手段と、ターゲットチューブに関連するスパッタリング領域内に磁界を設けることによりスパッタリング工程を補助する磁石手段と、基板をチャンバを通してスパッタリング領域内に移動させる手段と、スパッタリング領域の近くで、イオン化可能ガス及び反応性ガスをチャンバ内に導入する手段とを有している、使用中に実質的に減圧されるチャンバから基板上に材料のコーティングをスパッタリングする装置において、スパッタリング領域から離れた位置に補助磁界を形成する補助磁石手段と、補助磁界の近くにイオン化可能ガスを導入する手段とを設けたことを特徴とするスパッタリング装置。