Pat

J-GLOBAL ID：200903000998804391

発光素子及びそれを用いた発光ダイオード

Inventor： 山田 元量
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996339234
Publication number (International publication number)：1998178203
Application date： Dec. 19, 1996
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：

【要約】【課題】本願発明は、同一主面側に正極及び負極の両電極を形成させた発光素子に係わり、特に電極による外部量子効率の低下を抑制させた発光素子などに関する。【解決手段】本願発明は、透光性絶縁基板上に第1の導電型を有する半導体と、第1の導電型を有する半導体上に第2の導電型を有する半導体と、第1及び第2の導電型を有する半導体の同一主面側にそれぞれ設けられた第1及び第2の電極と、を有する発光素子であって、第2の導電型を有する半導体の端部がテーパー形状であると共にテーパー形状の厚みよりも厚い第1の電極を有する発光素子とすることにある。

Claim (excerpt)：

透光性絶縁基板上に第1の導電型を有する半導体と、該第1の導電型を有する半導体上に第2の導電型を有する半導体と、前記第1及び第2の導電型を有する半導体の同一主面側にそれぞれ設けられた第1及び第2の電極と、を有する発光素子であって、前記第2の導電型を有する半導体の端部がテーパー形状であると共にテーパー形状の厚みよりも厚い第1の電極を有することを特徴とする発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-349964   Applicant：豊田合成株式会社