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J-GLOBAL ID：200903000999664429

含浸カソード構体の製造方法

Inventor： 成田 万紀
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992202064
Publication number (International publication number)：1994052793
Application date： Jul. 29, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 HIP処理により製造する含浸カソード構体を製造するに際し、加工が容易で熱効率がよい含浸カソード構体の製造方法を提案する。【構体】 冷間成形時に、最終カソードペレットとほぼ同形状でやや大きめの寸法のタブレットを成形し、当タブレットにキャップ(または底板)を付け、当キャップ(または底板)付きタブレットをHIP処理することによりキャップ(または底板)とタブレットを一体化すると同時に高融点耐熱金属粉と電子放射剤を焼結する。【効果】 従来の製造方法で問題であった困難な焼結体の切断・研削加工が不要になるため、工程が簡略になってコストが低減できると共に、加工時のペレットの損傷を防止できて品質を向上でき、さらにカソードペレットとキャップを密着できて熱効率が向上し、長寿命かつ高性能な含浸カソード構体を製造できる。

Claim (excerpt)：

高融点耐熱金属粉と電子放射剤粉を混合する工程と、該混合粉を成形してタブレットにする工程と、該タブレットを有底のキャップに装着してキャップ付タブレットにする工程と、該キャップ付タブレットを熱間静水圧加圧処理(HIP処理)して一体化する工程と、HIP処理したキャップ付タブレットをマウントする工程とを具備することを特徴とする含浸カソード構体の製造方法。