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J-GLOBAL ID：200903001005871265

キャパシタ

Inventor： 三重野 文健 ,  古村 雄二 ,  筑根 敦弘 ,  宮田 宏志 ,  武田 正行
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992237507
Publication number (International publication number)：1994085196
Application date： Sep. 07, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 特にDRAMに適するキャパシタに関し,フィン型電極の湾曲を防止して,精密かつ信頼性の高いキャパシタを提供することを目的とする。【構成】 基板1上に垂設された導体柱の側面に,相互に空隙10を設けて平行に固着された複数の導体板を有してなるフィン型電極11と,導体板の表面に形成された絶縁膜を挟み導体板間の空隙10を埋め込み形成された電極8とを有するキャパシタにおいて,フィン型電極11は,炭化珪素からなることを特徴として構成する。

Claim (excerpt)：

基板(1)上に垂設された導体柱の側面に,相互に空隙(10)を設けて平行に固着された複数の導体板を有してなるフィン型電極(11)と,該導体板の表面に形成された絶縁膜を挟み該導体板間の空隙(10)を埋め込み形成された電極(8)とを有するキャパシタにおいて,該フィン型電極(11)は,炭化珪素からなることを特徴とするキャパシタ。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04