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J-GLOBAL ID：200903001009391101

化合物半導体の単結晶製造装置

Inventor：
坂下 由彦

About 坂下 由彦

, 
藤川 隆男

About 藤川 隆男

, 
上原 一浩

About 上原 一浩


Applicant, Patent owner：
株式会社神戸製鋼所

About 株式会社神戸製鋼所


Agent (1)： 安田 敏雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995211924
Publication number (International publication number)：1997059083
Application date： Aug. 21, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 炉内を不活性ガス雰囲気にして単結晶成長操作を行うとき、不活性ガスに比べ高解離圧成分の蒸気の方が重いと、下方のリザーバで発生した蒸気ではルツボ周囲を所定の蒸気圧雰囲気に保持し難く、組成ずれを十分抑制できない。【解決手段】 ルツボ14と、その下方に配置されるリザーバ17とを覆う気密チャンバ15の下端側に連通路16を形成する一方、気密チャンバ15内に、リザーバ17を加熱して発生する高解離圧成分18の蒸気をルツボ14周囲まで上方に導く案内路21を形成する内側スリーブ19と外側スリーブ20とを設ける。これにより、リザーバ17から蒸気がルツボ14周囲まで上方に導かれ、ルツボ周囲の蒸気圧を確実に制御できるので、意図した組成の単結晶26を成長させることができる。
Claim (excerpt)：
不活性ガスが充填される炉体と、炉体内に配置された主加熱手段と、単結晶成長用の原料を収容すると共に主加熱手段による加熱領域に配置される原料収納容器と、高解離圧成分を収容すると共に原料収納容器よりも下方に配置されるリザーバと、リザーバを加熱する副加熱手段と、原料収納容器とリザーバとを主加熱手段よりも内側で囲う気密チャンバとを備える化合物半導体の単結晶製造装置であって、上記気密チャンバが断面略逆U字状の筒体から成ると共に、気密チャンバの内外を相互に連通する連通路が気密チャンバの下端側における高解離圧成分の融点より低い温度状態で保持される部位に形成される一方、気密チャンバ内に、リザーバで発生する高解離圧成分の蒸気を原料収納容器周囲へと上方に導くための案内路を有する蒸気案内手段が設けられていることを特徴とする化合物半導体の単結晶製造装置。
IPC (5)：
C30B 11/00 ,  C30B 29/40 501 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/368
FI (5)：
C30B 11/00 Z ,  C30B 29/40 501 C ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 21/368 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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