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J-GLOBAL ID：200903001021862357

導電薄膜

Inventor：
山田 宏

About 山田 宏


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (3)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005191240
Publication number (International publication number)：2007012847
Application date： Jun. 30, 2005
Publication date： Jan. 18, 2007
Summary：
【課題】電子機器内の電子回路、特に、超小型の高速動作メモリ回路や高周波領域で動作する集積回路等で用いられる、誘電体と導電薄膜の組み合わせを基本構成とする高性能メモリ・容量素子などにおいて、素子の性能を向上するために使用される導電薄膜を提供する。【解決手段】導電薄膜102を構成している傾斜機能領域121は、導電体相120(電極101)の側から誘電体相103の側にかけて(導電体相120の厚さ方向に)、化学結合的な状態,原子配列構造的な状態,及びキャリアの分布の状態の少なくともいずれかが徐々に変化し、バッファ(緩衝)作用による格子整合性の向上と、バリア(遮蔽)作用による拡散制御性の向上を実現する傾斜機能を有している。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
導電性を有する導電体相から構成された導電薄膜であって、 前記導電体相は、 キャリアの分布の状態,化学結合的な状態,及び原子配列構造的な状態の少なくとも1つの状態が、前記導電体相の厚さ方向に変化した傾斜機能領域を少なくとも備える ことを特徴とする導電薄膜。
IPC (4)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (2)：
H01L27/10 444C ,  H01L27/04 C
F-Term (17)：
5F038AC02 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • 特開昭54-148263号公報
  • 特開昭56-156688号公報
  • 特開昭58-015208号公報
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