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J-GLOBAL ID：200903001029943534

光半導体素子

Inventor： 米原 祥友 ,  朴 鐘震
Applicant, Patent owner： 財団法人川村理化学研究所
Agent (1)： 高橋 勝利
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070044
Publication number (International publication number)：1999274602
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 光センサーあるいはイメージセンサー等構成の基本素子として有用な光感度が向上した光半導体素子を得ること。【解決手段】 2つの電極層(A、B)間に感光層を有する光半導体素子であって、少なくとも一方の電極層の感光層側に自己組織化膜を有する光半導体素子。

Claim (excerpt)：

2つの電極層(A、B)間に感光層を有する光半導体素子であって、少なくとも一方の電極層の感光層側に自己組織化膜を有することを特徴とする光半導体素子。

IPC (3)：

H01L 51/10 ,  H01L 31/08 ,  C23C 14/12

FI (2)：

H01L 31/08 T ,  C23C 14/12