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J-GLOBAL ID：200903001035312147

薄膜磁気ヘッド

Inventor： 榊間 博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997095493
Publication number (International publication number)：1998289417
Application date： Apr. 14, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 信頼性に優れた高出力で狭シ-ルドギャップの薄膜磁気ヘッドを可能とする。【解決手段】 下部シル-ド6としてFe-Si-Alをスパッタ法で成膜し、次に導体膜10として厚さ20nmのCuをこの上に成膜し、更にCo84Nb12Zr4(5nm)/Ni68Fe20Co12(10nm)/Co90Fe10(1nm)/Al2O3(2nm)/Co50Fe50(4nm)なる人工格子MR膜(M1/T/M2)をスハ ゚ッタ法でこの上に成膜し、又導体膜10として厚さ20nmのCuをスパッタ法でこの上に成膜し、Iの部分をパタ-ニングした後、絶縁膜Iとして厚さ100nmのSi3N4を反応スパッタ法で成膜し、MR素子部にスル-ホ-ルを開けた後、上部シ-ルド3のFe-Si-Alをスパッタ法で成膜する。

Claim (excerpt)：

シ-ルド型MR(磁気抵抗効果)ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、シ-ルドギャップ中に磁気抵抗変化を示すMR素子部があり、MR素子部がGMR(巨大磁気抵抗効果)を示す非磁性絶縁層を介した二つの磁性層を有する膜より構成され、該磁性層の一方が軟磁性を示し、かつ磁気記録媒体と相対するこの薄膜磁気ヘッドの表面近傍に設けられ、もう一方の磁性層は該軟磁性を示す磁性層よりは該薄膜ヘッドの表面より後方に設けられ、前記MR素子部の膜面に垂直方向に電流が流れるようにリ-ド部が配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。