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J-GLOBAL ID:200903001036526027

多層窒化けい素回路基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 波多野 久 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996246449
Publication number (International publication number):1998093244
Application date: Sep. 18, 1996
Publication date: Apr. 10, 1998
Summary:
【要約】【課題】放熱性に優れ、実装部や回路構成部の面積の増大を図った上で小型化でき、さらに耐熱サイクル性等を改善した信頼性に優れる多層窒化けい素回路基板を提供する。【解決手段】希土類元素を酸化物に換算して1.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で1.0重量%以下(検出限界としての0重量%を含む)含有し、熱伝導率が60w/m・k以上である複数の高熱伝導性窒化けい素基板10a,10bと、この高熱伝導性窒化けい素基板10a,10bに接合された金属板3,4,5とを具備し、前記複数の高熱伝導性窒化けい素基板10a,10bが前記金属板3,4,5を介して多層化された部分を有することを特徴とする。
Claim (excerpt):
希土類元素を酸化物に換算して1.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で1.0重量%以下(検出限界としての0重量%を含む)含有し、熱伝導率が60w/m・k以上である複数の高熱伝導性窒化けい素基板と、この高熱伝導性窒化けい素基板に接合された金属板とを具備し、前記複数の高熱伝導性窒化けい素基板が前記金属板を介して多層化された部分を有することを特徴とする多層窒化けい素回路基板。
IPC (3):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/13
FI (4):
H05K 3/46 S ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 C

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