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J-GLOBAL ID：200903001041018820

半導体装置

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999043976
Publication number (International publication number)：1999317530
Application date： Dec. 25, 1990
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 新規な半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁表面上に形成された半導体層を有する半導体装置であって、前記半導体層は結晶性珪素の複数のクラスタを有し、該複数のクラスタは、少なくとも一部が互いに結合されており、相互の間で実質的にグレインバウンダリがないことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に形成された半導体層を有する半導体装置であって、前記半導体層は結晶性珪素の複数のクラスタを有し、該複数のクラスタは、少なくとも一部が互いに結合されており、相互の間で実質的にグレインバウンダリがないことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (4)：

H01L 29/78 618 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-242724
  
• 特開昭58-074080
  
• 特開昭58-027364
  
• 特開昭63-237570