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J-GLOBAL ID：200903001041762626

半導体製造装置

Inventor： 西村 修一 ,  横井 正幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  中部東芝エンジニアリング株式会社 ,  東芝エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998174913
Publication number (International publication number)：2000012535
Application date： Jun. 22, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 装置内部に好適なオゾン分解処理機能を備えた半導体製造装置を提供する。【解決手段】 オゾン水を用いて半導体ウェハを処理する処理槽を有する半導体製造装置において、前記処理槽から排出されたオゾン廃液中のオゾンを分解するためのオゾン分解機構を内設する。このオゾン分解機構は、前記処理槽から排出されたオゾン廃液中のオゾン濃度を測定するオゾン濃度測定手段15と、前記オゾン濃度測定手段の測定結果が所定値以上のときに前記オゾン廃液を取り込む廃液取り込み手段16と、前記廃液取り込み手段を介して取り込まれたオゾン廃液に対し、所定のオゾン分解処理を施して装置外へ排出するオゾン分解処理手段20とを備えた。

Claim (excerpt)：

オゾン水を用いて半導体ウェハを処理する処理槽を有する半導体製造装置において、前記処理槽から排出されたオゾン廃液中のオゾンを分解するためのオゾン分解機構を内設したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  C02F 1/30 ,  C02F 1/58

FI (3)：

H01L 21/31 E ,  C02F 1/30 ,  C02F 1/58 H

F-Term (14)：

4D037AA13 ,  4D037AB11 ,  4D037BA16 ,  4D037BB02 ,  4D038AA08 ,  4D038AB27 ,  4D038BA02 ,  4D038BA06 ,  4D038BB07 ,  4D038BB13 ,  4D038BB20 ,  5F045AA20 ,  5F045AB31 ,  5F045BB20