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J-GLOBAL ID:200903001047183750

光-電気変換素子及びそれを用いた光学測定装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 薄田 利幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991052556
Publication number (International publication number):1993145106
Application date: Mar. 18, 1991
Publication date: Jun. 11, 1993
Summary:
【要約】【目的】 低出力超短パルス光源のパルス幅を任意の場所で測定するための、高感度、高速、小型の光学測定装置を実現する。【構成】 半導体基板上8に入射光の波長に共鳴する励起子準位を形成した量子井戸を含む光導波路2を形成し、その光導波路にバイアス電圧を加えた条件での量子井戸励起子の金属転移に基づく光電流の非線形性を利用し、入射光を2本の経路S2、S3に分離し片方の経路に可変光路差を設け、再び一つに結合した入射光S4を光導波路21に導き、光路差の変化に伴う光電流を検出する電流計10及び光電流を処理する信号処理回路12により構成される。【効果】 弱出力で、数ピコ秒のパルス幅を持つレ-ザのパルス幅を測定する光-電気変換素子を小さな寸法で作製することができ、それを用いた装置の小型化ができる。
Claim (excerpt):
半導体基板と、半導体基板上に形成され電子-正孔対からなる励起状態を生じる量子井戸層を含む能動層と、上記能動層に光電流の非線形特性をもたせる電界を加える電界印加手段と、上記電界印加手段の1部より電流を取り出す手段とを有する光-電気変換素子。
IPC (3):
H01L 31/10 ,  G01J 1/02 ,  G01J 11/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭58-213520

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