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J-GLOBAL ID:200903001055636534
光電変換装置及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉村 次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994259809
Publication number (International publication number):1996102547
Application date: Sep. 30, 1994
Publication date: Apr. 16, 1996
Summary:
【要約】【目的】 コンパクトな構造を有し、且つ低廉化が図れると共に、良好な集光機能を有する光電変換装置を提供する。【構成】 光電変換半導体層としてのi-Si膜5の上方に上部ゲート絶縁膜10を介してITOでなる上部ゲート電極11Aを形成し、この上部ゲート電極11Aの上にAl-Ti膜をパターニングした後、このAl-Ti膜を陽極酸化してSi2O3でなるレンズ部12Bに変化させる。Al-Ti膜は陽極酸化により、断面が半円状のレンズとして適した形状となる。このため、良好な集光機能の有し、且つレンズ一体型のコンパクトな光電変化装置を得ることができる。
Claim (excerpt):
光電変換半導体層の上方にメタルの陽極酸化膜でなるレンズを形成したことを特徴とする光電変換装置。
IPC (3):
H01L 31/10
, H01L 27/146
, H01L 31/0232
FI (3):
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 C
, H01L 31/02 D
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