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J-GLOBAL ID：200903001057279666

半導体装置の製造方法

Inventor： 井口 総一郎 ,  渡邊 孝幸 ,  清野 純司
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000228464
Publication number (International publication number)：2002043408
Application date： Jul. 28, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シリコン窒化膜ライナの膜厚をライナとして機能する厚さにしてもトレンチ肩部のシリコン窒化膜ライナに凹みが生じないようにする。【解決手段】 シリコン窒化膜24の開口部側壁にシリコン酸化膜スペーサ27を形成し、シリコン窒化膜24およびシリコン酸化膜スペーサ27をエッチングマスクとして、シリコン基板21にトレンチ28を形成する。シリコン窒化膜ライナ32は、トレンチ28内、シリコン窒化膜24上およびシリコン酸化膜スペーサ27を除去したシリコン基板21上に形成する。トレンチ28内にシリコン酸化膜を充填した後、シリコン窒化膜24を熱燐酸で除去するとき、シリコン窒化膜24の側壁のシリコン窒化膜ライナ32も同時に除去されるが、トレンチ肩部との間に、シリコン基板21とシリコン酸化膜に挟まれたシリコン窒化膜ライナ32が形成されているため、トレンチ肩部まで容易に浸透せず、凹みを防止できる。

Claim (excerpt)：

開口を有するシリコン窒化膜をシリコン基板上に形成する工程と、前記シリコン窒化膜の開口の側壁にシリコン酸化膜スペーサを形成する工程と、前記シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜スペーサをマスクとしてトレンチを形成する工程と、前記トレンチを形成した後、前記シリコン酸化膜スペーサを除去する工程と、前記シリコン酸化膜スペーサを除去した後、前記トレンチの内壁に熱酸化膜を形成する工程と、前記熱酸化膜を形成した後、前記トレンチの内壁を含むシリコン基板上全面にシリコン窒化膜ライナを形成する工程と、前記シリコン窒化膜ライナ上に前記トレンチが完全に埋まるようにシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜を熱燐酸溶液で除去する工程とを含む半導体装置の製造方法。

F-Term (13)：

5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA70 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA30 ,  5F032DA34 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74