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J-GLOBAL ID：200903001069597159

薄膜トランジスタアレイとその製造方法

Inventor： 西田 真一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992124371
Publication number (International publication number)：1993326924
Application date： May. 18, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタアレイを、ゲート電極配線材料としてアルミニウム膜を用いて形成する際に、安易に安定でかつ低抵抗な配線を得る。【構成】 ガラス基板1上に形成する薄膜トランジスタのゲート配線を、純アルミ2とシリコンアルミ3とを積層した構造とする。この構造により、純アルミの持つ低抵抗という性質とシリコンアルミの持つ耐ヒロック・耐マイグレーションの性質が、お互いに他の欠点を補うため、両者のよい点を引き出すことができる。また純アルミを基板側に用いることにより、基板界面へのシリコンの析出による残さの問題も起こらず、この除去に要する工程を簡略化できる。さらに、表面から基板に到達しない一定の深さまであらかじめ定められた濃度分布でシリコン原子を純アルミに添加する構造にすることによっても同等の効果が得られる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に、基板側からゲート電極,ゲート絶縁膜,島状非晶質シリコン膜,ソース・ドレイン電極の順に配置された薄膜トランジスタのアレイにおいて、ゲート電極を接続する配線が、不純物の非常に少ないアルミニウム膜と一定量のシリコン原子が添加されたアルミニウム膜とを積層してあることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。

IPC (6)：

H01L 29/40 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 27/08 102 D ,  H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 G