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J-GLOBAL ID：200903001073095621

導電性パターンの形成方法

Inventor： 上山 健一
Applicant, Patent owner： 花王株式会社
Agent (1)： 羽鳥 修 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995232720
Publication number (International publication number)：1997078250
Application date： Sep. 11, 1995
Publication date： Mar. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 簡易な操作で、基体の表面に良好に導電性パターンを形成することができる、導電性パターンの形成方法を提供すること。【解決手段】 基体の表面に所定のパターンの金属膜を形成する導電性パターンの形成方法において、上記表面を、カチオン性基を有する化合物で上記パターンに沿って処理する前処理工程と、上記化合物で処理された上記表面を、スズーパラジウム系活性剤で処理して、該表面に上記パターンに沿って触媒核を吸着させる触媒核吸着工程と、次いで、無電解メッキ液で処理して、上記表面に上記パターンに沿って、金属膜を形成する無電解メッキ工程とを具備することを特徴とする導電性パターンの形成方法。

Claim (excerpt)：

基体の表面に所定のパターンの金属膜を形成する導電性パターンの形成方法において、上記表面を、カチオン性基を有する化合物で上記パターンに沿って処理する前処理工程と、上記化合物で処理された上記表面を、スズーパラジウム系活性剤で処理して、該表面に上記パターンに沿って触媒核を吸着させる触媒核吸着工程と、次いで、無電解メッキ液で処理して、上記表面に上記パターンに沿って、金属膜を形成する無電解メッキ工程とを具備することを特徴とする導電性パターンの形成方法。

IPC (3)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/20 ,  H05K 3/18

FI (3)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/20 A ,  H05K 3/18 B