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J-GLOBAL ID：200903001075222116

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
矢野 健作

About 矢野 健作


Applicant, Patent owner：
東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社

About 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社


Agent (3)： 樺澤 襄 ,  樺澤 聡 ,  山田 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007185507
Publication number (International publication number)：2009026796
Application date： Jul. 17, 2007
Publication date： Feb. 05, 2009
Summary：
【課題】半導体層の端面近傍とゲート電極との間での電気的リークを確実に抑制した薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】半導体層31を覆う絶縁膜上に、半導体層31の外形よりも小さい外形にて島状にゲート電極33を形成する。ゲート電極33を層間膜で覆う。層間膜上に、ゲート電極33と外部のゲート線22とを電気的に接続するゲート連絡線37を形成する。半導体層31の端面とゲート電極33との間の絶縁膜による絶縁性を確保でき、半導体層31とゲート電極33の端面近傍との間での電気的リークを確実に抑制できる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
チャネル領域、このチャネル領域の両側に位置したソース領域およびドレイン領域を有する半導体層と、 この半導体層を覆って形成された絶縁膜と、 この絶縁膜上にて前記半導体層と対応する位置に、この半導体層の外形よりも小さい外形にて島状に形成されたゲート電極と、 このゲート電極を覆って設けられた層間膜と、 この層間膜上に形成され、前記ゲート電極と外部のゲート線とを電気的に接続するゲート連絡線と を具備していることを特徴とした薄膜トランジスタ。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417
FI (3)：
H01L29/78 617J ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M
F-Term (40)：
4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE06 ,  5F110EE25 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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