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J-GLOBAL ID：200903001088103469
耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992104766
Publication number (International publication number)：1993299635
Application date： Apr. 23, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体ダイヤモンド薄膜を用いて形成され、高温環境下で使用される電子デバイスに好適の耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜を得る。【構成】 p型Si基板1上に形成されたp型半導体ダイヤモンド薄膜2の表面には、Bが1.0×1019乃至1.8×1023cm-3の密度で導入された高濃度Bドープ層3が設けられている。また、この高濃度Bドープ層3上には、B、Al及びGaからなる群から選択された少なくとも1種の元素が1.0×1020乃至5.0×1022cm-3の濃度で導入されたp型Siからなる電極4が選択的に形成されている。
Claim (excerpt)：
p型半導体ダイヤモンド膜と、この半導体ダイヤモンド膜の表面に設けられたホウ素ドープ層と、このホウ素ドープ層上に選択的に形成されたp型Siからなる電極とを有し、前記ホウ素ドープ層にはホウ素が1.0×1019乃至1.8×1023cm-3の濃度で導入されており、前記電極には、B、Al及びGaからなる群から選択された少なくとも1種の元素が1.0×1020乃至5.0×1022cm-3の濃度で導入されていることを特徴とする耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜。
IPC (3)：
H01L 29/40
, C30B 29/04
, H01L 21/28 301
