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J-GLOBAL ID：200903001091171840

SOI基板の製造方法

Inventor： 西原 利幸
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992359126
Publication number (International publication number)：1994204193
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 張り合わせ型SOI基板の製造方法においても半導体層を制御性良く薄膜化でき、パンチスルー耐性に優れたトランジスタを作ることが可能なSOI基板の製造方法を提供すること。【構成】 半導体基板2の表面に、所定のパターンで開口部12が形成されたストッパ層10を形成する工程と、エピタキシャル成長法により、開口部により露出している半導体基板の表面に単結晶半導体層14aを成長させると共に、ストッパ層10の表面には多結晶半導体層14bを成長させる工程と、これら単結晶半導体層14aおよび多結晶半導体層14bの表面に、絶縁層16を形成し、支持基板20を張り合わせる工程と、半導体基板2の裏面を、ストッパ層10を研磨ストッパーとして研削研磨し、単結晶半導体層14aの表面を露出させる工程とを有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に、所定のパターンで開口部が形成されたストッパ層を形成する工程と、エピタキシャル成長法により、開口部により露出している半導体基板の表面に単結晶半導体層を成長させると共に、ストッパ層の表面には多結晶半導体層を成長させる工程と、これら単結晶半導体層および多結晶半導体層の表面に、絶縁層を形成し、支持基板を張り合わせる工程と、上記半導体基板の裏面を、上記ストッパ層を研磨ストッパーとして研削研磨し、単結晶半導体層の表面を露出させる工程とを有するSOI基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784