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J-GLOBAL ID：200903001091717419

Si膜の欠陥評価法

Inventor： 石山 俊彦
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 田中 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993029878
Publication number (International publication number)：1994224277
Application date： Jan. 26, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Si基板本体上にSiO2 膜とそれに比し十分薄いSi膜とがそれらの順に形成されている構成を有する半導体基板について、その上記Si膜の貫通転位でなる欠陥を、その欠陥の数によって評価するにつき、その評価を容易に行うことができるようにする。【構成】 上述した評価をするにつき、上記半導体基板を、上記SiO2 膜に比し上記Si膜に対するよりも、上記SiO2 膜と上記Si膜との厚さ比倍以上のエッチングレ-トを呈する溶液中に浸漬させることによって、上記SiO2 膜に、上記Si膜の欠陥下において、その欠陥に比し大きな開口を有するエッチング孔を形成し、そのエッチング孔の数によって、上記Si膜の欠陥を評価する。

Claim (excerpt)：

Si基板本体上にSiO2 膜とそれに比し十分薄いSi膜とがそれらの順に形成されている構成を有する半導体基板について、その上記Si膜の貫通転位でなる欠陥を、その欠陥の数によって評価するにつき、上記半導体基板を、上記SiO2 膜に比し上記Si膜に対するよりも、上記SiO2 膜と上記Si膜との厚さ比倍以上のエッチングレ-トを呈する溶液中に浸漬させることによって、上記SiO2 膜に、上記Si膜の欠陥下において、その欠陥に比し大きな開口を有するエッチング孔を形成し、そのエッチング孔の数によって、上記Si膜の欠陥を評価することを特徴とするSi膜の欠陥評価法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01N 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-131030
  
• 特開平4-131030
  
• 特開昭59-040422
  
• 特開平4-121923