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J-GLOBAL ID：200903001092450327

紫外発光体及びその製造方法

Inventor： 李 謹炯 ,  山本 洋 ,  興梠 元伸 ,  大津 元一
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 平山 一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999246600
Publication number (International publication number)：2001077420
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 室温で紫外発光可能でバンドギャップを広く調節できる紫外発光体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 紫外発光体1はサファイア(α-Al2 O3 )基板2の(001)面上に形成された酸化亜鉛に基づく半導体混晶4を有しており、この半導体混晶4に室温でCW発振He-Cdレーザー又は電子ビームを全面に照射して紫外光を発生させる。半導体混晶4は室温でのバンドギャップが3.3eVのZnOよりも大きいZnOに基づくZnx Cy Oz である。このような半導体混晶4は300°C以下の低温成長温度の調節によってZnx Cy Oz の組成x、y及びzを調節し、バンドギャップを広くすることが可能である。

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛に基づく半導体混晶のZnx Cy Oz を備え、この半導体混晶のバンドギャップに対応した紫外光を発光する紫外発光体。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/09 ,  H01S 5/327 ,  H01S 5/50 ,  H01L 21/365

FI (5)：

H01L 33/00 D ,  H01S 5/327 ,  H01S 5/50 ,  H01L 21/365 ,  H01S 3/09

F-Term (33)：

5F041AA11 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AA11 ,  5F045AB22 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045DP03 ,  5F045EE12 ,  5F045EK19 ,  5F072AB13 ,  5F072AK03 ,  5F072JJ20 ,  5F072KK02 ,  5F072PP03 ,  5F072RR05 ,  5F073CA24 ,  5F073CB05 ,  5F073CB13 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA35 ,  5F073EA05