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J-GLOBAL ID：200903001092618791

半導体装置の製造方法

Inventor： 平田 勲夫 ,  盛岡 一信 ,  池谷 晋一
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997157190
Publication number (International publication number)：1999008261
Application date： Jun. 13, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 母基材の板厚が厚い場合であっても、あるいはスルーホール間のピッチが狭い場合であっても、スルーホールの切断歩留りが良好な半導体装置の製造方法を提供する【解決手段】 母基材22に長円形の孔を穿設することによって形成されるスルーホール20を複数設ける。該スルーホール20にめっき処理した後、各スルーホール20の短径側を横切る線に沿って母基材22を切断する。しかして基板1の端部にスルーホール22が切断されることによって形成されるアウターリード10を設けた半導体装置Aを得る。スルーホール20の内面にメッキによって形成される電極の面積が大きくなり、母基材22の切断時に母基材22が歪んでも、スルーホール20の切断部分のメッキのめくれやはがれが発生し難くなる。

Claim (excerpt)：

母基材に長円形の孔を穿設することによって形成されるスルーホールを複数設け、該スルーホールにめっき処理した後、各スルーホールの短径側を横切る線に沿って母基材を切断することによって、基板の端部にスルーホールが切断されることによって形成されるアウターリードを設けた半導体装置を得ることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/40

FI (3)：

H01L 21/60 301 A ,  H05K 3/40 D ,  H01L 23/12 K