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J-GLOBAL ID：200903001133771613

半導体製造装置

Inventor： 田部井 幸一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992122320
Publication number (International publication number)：1993326405
Application date： May. 15, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】プロセスが大気圧もしくは減圧下で行われる半導体製造装置内の,原料ガスが流れるガス流系統に取り付ける安全弁を、装置のプロセスに影響を与えないように動作圧力を精密に設定することができ、かつ動作後、放出ガスや大気の逆流が生じない安全弁とする。【構成】安全弁の構成として、大気圧力以上の所定圧力を維持する第1空間11と、所定のガスが流入・流出する第2空間12とが、両空間の圧力差により面と垂直方向に変形するゴム板または金属薄板からなる円形のダイヤフラム14を介して隣設され、ダイヤフラム14の変形により、ダイヤフラム14と比べてガス流出面積をはるかに小さくなしうる第2空間のガス流出口24が開閉される安全弁とする。

Claim 1：

大気圧力以上の所定圧力を維持する第1空間と、所定のガスが流入・流出する第2空間とが、両空間の圧力差により面と垂直方向に変形するゴム板もしくは金属薄板からなる円形のダイヤフラムを介して隣設され、ダイヤフラムの変形により前記第2空間のガス流出口が開閉される安全弁を備えたことを特徴とする半導体製造装置。