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J-GLOBAL ID:200903001145725889
スパッタリングターゲット及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小越 勇 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999318230
Publication number (International publication number):2001131736
Application date: Nov. 09, 1999
Publication date: May. 15, 2001
Summary:
【要約】【課題】 インジウム及び亜鉛の酸化物を主成分とするIZO透明導電膜の持つ特性を失うことなく改良を図ることを目的とし、ターゲット密度の向上を図り、結晶粒径を均一微細化し、抗折強度を上げて、スパッタリングの放電を安定化させるとともに、透明導電膜を安定かつ再現性よく得ることのできるIZOスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 酸化インジウム結晶中にZnが固溶した又は未固溶のInリッチ相と酸化亜鉛結晶中にInが固溶した又は未固溶のZnリッチ相の2相の組織を備えていることを特徴とするインジウム-亜鉛系酸化物からなるスパッタリングターゲット。
Claim (excerpt):
酸化インジウム結晶中にZnが固溶した又は未固溶のInリッチ相と酸化亜鉛結晶中にInが固溶した又は未固溶のZnリッチ相の2相の組織を備えていることを特徴とするインジウム-亜鉛系酸化物からなるスパッタリングターゲット。
IPC (3):
C23C 14/34
, C04B 35/453
, H01B 1/08
FI (3):
C23C 14/34 A
, H01B 1/08
, C04B 35/00 P
F-Term (16):
4G030AA32
, 4G030AA34
, 4G030BA16
, 4G030GA22
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 4K029BA45
, 4K029BC09
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 5G301CA02
, 5G301CA15
, 5G301CA27
, 5G301CD03
, 5G301CD10
, 5G301CE02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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ZnO系焼結体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-110363
Applicant:住友金属鉱山株式会社
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スパッタリングターゲットの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-047176
Applicant:東ソー株式会社
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