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J-GLOBAL ID：200903001145725889

スパッタリングターゲット及びその製造方法

Inventor：
石塚 慶一

About 石塚 慶一


Applicant, Patent owner：
株式会社日鉱マテリアルズ

About 株式会社日鉱マテリアルズ


Agent (1)： 小越 勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999318230
Publication number (International publication number)：2001131736
Application date： Nov. 09, 1999
Publication date： May. 15, 2001
Summary：
【要約】【課題】 インジウム及び亜鉛の酸化物を主成分とするIZO透明導電膜の持つ特性を失うことなく改良を図ることを目的とし、ターゲット密度の向上を図り、結晶粒径を均一微細化し、抗折強度を上げて、スパッタリングの放電を安定化させるとともに、透明導電膜を安定かつ再現性よく得ることのできるIZOスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 酸化インジウム結晶中にZnが固溶した又は未固溶のInリッチ相と酸化亜鉛結晶中にInが固溶した又は未固溶のZnリッチ相の2相の組織を備えていることを特徴とするインジウム-亜鉛系酸化物からなるスパッタリングターゲット。
Claim (excerpt)：
酸化インジウム結晶中にZnが固溶した又は未固溶のInリッチ相と酸化亜鉛結晶中にInが固溶した又は未固溶のZnリッチ相の2相の組織を備えていることを特徴とするインジウム-亜鉛系酸化物からなるスパッタリングターゲット。
IPC (3)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/453 ,  H01B 1/08
FI (3)：
C23C 14/34 A ,  H01B 1/08 ,  C04B 35/00 P
F-Term (16)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA16 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G301CA02 ,  5G301CA15 ,  5G301CA27 ,  5G301CD03 ,  5G301CD10 ,  5G301CE02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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