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J-GLOBAL ID：200903001146086499
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
碓氷 裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993069815
Publication number (International publication number)：1994013618
Application date： Mar. 29, 1993
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 検出部の素子のリーチスルー耐圧を主電流部のそれに比べて向上させた半導体装置を提供する。【構成】 本発明の半導体装置では、各素子は例えばDMOSやIGBTやBPTのセルからなり、一部が検出部として、残りが主電流部として作用する。これら検出部及び主電流部は第1導電型の低濃度層2をもつ高濃度基板1を共通電極とし、第2導電型の主ウエル領域31、副ウエル領域33が層2の表面部に形成される。主電流部の他電極をなす第1導電型の表面電極領域51は主ウエル領域31の表面部に、検出部の他電極をなす第1導電型の表面電極領域52は副ウエル領域33の表面部に形成される。本発明では、副ウエル領域33は主ウエル領域31よりも例えばマスクの開口溝幅の狭小化により浅く形成されているので、リーチスルーはウエル領域と基板との間の距離がより短い主電流部においてまず先に生じ、上記距離がより長い検出部において後で生じる。
Claim (excerpt)：
表面に低濃度の第1導電型の層を有する高濃度の第1導電型の半導体基板と、前記層の表面部に互いに離れて形成された第2導電型の主ウエル領域及び副ウエル領域と、前記主ウエル領域の表面部に形成され主電流部の表面電極領域を構成する高濃度の第1導電型領域と、前記副ウエル領域の表面部に形成され前記主電流部電流検出用の検出部の表面電極領域を構成する高濃度の第1導電型領域とを備える電力用の半導体装置において、前記副ウエル領域は前記主ウエル領域よりも浅い接合深さを有していることを特徴とする半導体装置。
FI (2)：
H01L 29/78 321 K
, H01L 29/78 321 T
