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J-GLOBAL ID：200903001152925796

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 滝川 修
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000289794
Publication number (International publication number)：2002100773
Application date： Sep. 25, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 抵抗の増大、パワーロスを抑制しつつハイパワー動作でのデバイス動作を可能とする半導体装置を製造歩留まり良く提供すること。【解決手段】 炭化珪素層2の第1の表面に島状に互いに離間して形成された複数のシリコン層11と、シリコン層11の各々に設けられた第1の電極4、6と、炭化珪素層2の第1の表面に対して裏面となる第2の表面に設けられた第2の電極9とを具備し、第1の電極4、6と第2の電極9との間に電流が流れることを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

炭化珪素層の第1の表面に島状に互いに離間して形成され、炭化珪素よりも熱伝導度が低い半導体材料からなる複数の半導体層と、当該半導体層の各々に設けられた第1の電極と、前記炭化珪素層の第1の表面に対して裏面となる第2の表面に設けられた第2の電極とを具備し、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電流が流れることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861

FI (6)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 658 Z ,  H01L 29/91 A ,  H01L 29/91 F

F-Term (4)：

5F040DC01 ,  5F040DC02 ,  5F040DC10 ,  5F040EE01